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电子元器件详细资料 » IC[20529] » IRFH6200TR2PBF
型号:IRFH6200TR2PBF类别:FET - 单制造商:International Rectifier
封装:8-PowerVQFN描述:MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
系列HEXFET®
制造商International Rectifier
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C45A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.2 毫欧 @ 50A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.1V @ 150µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs230nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds10890pF @ 10V
功率_最大3.6W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerVQFN
供应商设备封装PQFN(5x6)
包装剪切带 (CT)

供应商

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