型号:IRFH6200TR2PBF | 类别:FET - 单 | 制造商:International Rectifier |
封装:8-PowerVQFN | 描述:MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 45A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 1.2 毫欧 @ 50A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.1V @ 150µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 230nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 10890pF @ 10V |
功率_最大 | 3.6W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
供应商设备封装 | PQFN(5x6) |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
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深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
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